江苏第三代半导体研究院申请双色LED及其制备方法专利，实现纳米柱双色LED的集成

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“双色LED及其制备方法”的专利，公开号CN 119153598 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了双色LED及其制备方法，该方法包括：在衬底表面依次层叠形成N型层和掩膜层；去除部分掩膜层，以使掩膜层形成露出N型层的多个间隔的第一空白区，在每个第一空白区内形成纳米柱；在每个纳米柱顶面形成第一发光结构，并形成覆盖第一发光结构侧面的保护层；在每个纳米柱的至少部分侧面形成第二发光结构；在掩膜层表面形成覆盖第二发光结构表面的导电层；形成N电极、与每个第一发光结构对应的第一P电极以及与每个第二发光结构对应的第二P电极；其中，第一P电极设置于每个第一发光结构上，所述第二P电极设置于导电层上，N电极设置于N型层上。本发明实现纳米柱双色LED的集成；减少了发光结构之间的光学串扰；实现互联电极控制纳米柱。

来源：金融界