江丰电子获得发明专利授权：“一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示江丰电子（300666）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法”，专利申请号为CN202311046387.X，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。

今年以来江丰电子新获得专利授权80个，较去年同期减少了32.77%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.02亿元，同比增30.77%。

数据来源：天眼查APP

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