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突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:明年就量产

作者:黑白发布时间:2024-12-09

快科技12月9日消息,据媒体报道,三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。...【查看原文】


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