[图片] 近日,睿创微纳控股子公司睿思微系统(烟台)有限公司(以下简称“睿思微系统”)在GaN基大功率S波段微波功率放大器的研究中取得重要进展。研发团队通过研究发现AlGaN/GaN HEMT器件在高温、大功率应用场景下性能退化的物理机制,通过优化器件结构,成功将 PA(功率放大器)的增益提高 1dB,效率提升 2.6%。 [图片] 图1(a)AlGaN/GaN HEMT器件示意图;(b)匹配电路板;(c)电路原理图 睿创微纳攻克GaN基PA难题 显著提升器件性能及可靠性 第三代半导体材料GaN、(In...【查看原文】