芯朋微获得发明专利授权：“半导体装置及其版图结构、制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯朋微（688508）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体装置及其版图结构、制作方法”，专利申请号为CN202210589151.X，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：一种半导体装置及其版图结构、制作方法。所述版图结构包括：集成在氮化镓衬底上的第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，以及集成在所述氮化镓衬底内的启动电阻；所述第二晶体管与第一晶体管同时通断，并通过所述第一晶体管的源端输出采样信号；所述第三晶体管在上电期间通过启动电阻控制所述第三晶体管的通断；其中，所述启动电阻是在所述氮化镓衬底内的非有源区绕制而成的。采用上述方案，可以在氮化镓衬底上集成具有电流采样和启动功能的半导体装置，从而改善具有电流采样和启动功能的半导体装置的性能。

今年以来芯朋微新获得专利授权5个，较去年同期增加了25%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.04亿元，同比增15.96%。

数据来源：天眼查APP

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