晋华集成电路取得半导体器件专利，优化操作表现
金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN 222148125 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本申请公开了半导体器件。半导体器件包括第一区和第二区，且半导体器件包括衬底、第一金属层、绝缘层、第一电容结构、第二金属层以及第二电容结构，第一金属层设置在第二区内，绝缘层设置在第一区和第二区内，并覆盖在第一金属层上，第一电容结构设置在第一区内的绝缘层上，并部分贯穿绝缘层，第二金属层设置在第二区内的绝缘层上并电性连接第一金属层，第二电容结构设置第二金属层上。由此，本申请的半导体器件得以在两区域内分别设置具有高度落差的不同电容结构，以电性连接至不同组件、执行不同操作，进而达到更为优化的操作表现(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利。
来源：金融界
