佰维存储获得发明专利授权：“DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示佰维存储（688525）新获得一项发明专利授权，专利名为“DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备”，专利申请号为CN202011136998.X，授权日为2024年12月31日。

专利摘要：本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待测试的DRAM先以预设突发长度为单位进行基于第一预设读写单元的突发读写访问操作，再进行基于第二预设读写单元的突发读写访问操作，第一预设读写单元与第二预设读写单元不同，由于预设读写单元的读写访问是从预设读写单元的两端同时向中间进行读写，并且通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据，因此，更贴近用户使用的环境，且相较于现有的突发访问测试，通过使用掩码从而实现在一个突发长度内实现按位访问，更能够激发cell与cell之间的故障，提高了测试DRAM时的故障覆盖率。

今年以来佰维存储新获得专利授权48个，较去年同期增加了14.29%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.1亿元，同比增174.15%。

数据来源：天眼查APP

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