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刻蚀角度与ICP-RIE射频功率的关系?

作者:Tom聊芯片智造发布时间:2024-11-18

知识星球里的学员问:用ICP-RIE刻蚀接触孔工艺中中,侧壁的角度与射频功率关系大不大?如何通过调节功率来调节侧壁角度?什么是刻蚀的侧壁角度?如上图,侧壁角度是侧壁相对于衬底的倾斜角度,是衡量刻蚀质量的重要指标之一。理想的侧壁角度接近90°,垂直于衬底,但是大多数情况下的侧壁角度是倾斜的,即锥形。垂直或倾斜的刻蚀角度均有其应用的场景,垂直角度更适合高密度互连的要求,可以避免锥形角度带来的空间浪费。而锥形角度可以使填孔工艺大大降低。ICP-RIE的功率调节?如上图,改变上位机电源的功率,可以改变等离子体的密...【查看原文】


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