在众多的低代码开发平台中，JNPF凭借其诸多独特优势脱颖而出，与其他低代码平台相比，在功能、性能、易用性、扩展性以及服务质量等方面都展现出了卓越之处，为企业的选型决策提供了有力依据与参考建议。 功能方...【查看原文】
A股光模块概念股继续向上，天孚通讯、中际旭创、铭普光磁等都在上涨。
ChatGPT
市值观察官方账号 2023-02-15
场景单一、算力不足，香港如何在AIGC竞争中杀出重围？ 界面新闻记者 张熹珑 人工智能正成为香港经济的新引擎。 3月7日，联想在创新科技大会上披露了其最新的全球首席信息官报告中有关香港的
AIGC人工智能
界面新闻 2024-03-08
文心一言
雷科技 2024-09-04
在ChatGPT提问：企业为什么需要低代码平台？ChatGPT给出如下答案：在数字化转型和业务敏捷性日益重要的今天，低代码平台正成为企业提升效率、适应变化以及实现快速创新的关键工具。以下将针对企业采用低代码平台的几个核心原因进行详细阐述：一、提高开发效率与生产力低代码平台的核心价值之一在于其显著提升了应用开发的速度和效率。传统的软件开发模式需要大量手工编写代码，而低代码平台通过提供直观的图形化用户界面（GUI）和预先封装好的功能模块，让开发者只需拖拽组件、配置参数即可完成大部分工作。这种方式极大地简化了复
编程ChatGPT
星云座低代码开发平台 2024-03-07
在AI人工智能大模型大时代，腾讯走出了属于自己的第一步，而且走了一条完全不一样的路。近日，腾讯云召开发布会。首次正式公布行业大模型开发进展，发布面向B端客户的腾讯云MaaS（Model-as-a-service，模型即服务）服务解决方案。值得注意的是，腾讯云并没有像谷歌、微软，或者国内的百度、阿里等大公司那样公布一个基本的通用模型。《百度阿里、商汤华为推出AI大模型，新一轮的AI大战是概念炒作还是产业风口？| 深度详盘》&《海外人工智能AI大模型的行业格局 | 深度盘点》腾讯云MaaS的技术基础是一系列的
腾讯谷歌微软百度商汤
神经童非童 2023-06-21
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，安徽润安信科检测科技有限公司取得一项名为“一种色谱柱切割定位装置”的专利，授权公告号CN222200655U，申请日期为2024年4月。
金融界 2024-12-26
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳和而泰智能控制股份有限公司申请一项名为“一种液体温度控制方法、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN119179351A，申请日期为2024年8月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，湖南趣智新视觉广告有限公司取得一项名为“一种广告板的裁切装置”的专利，授权公告号CN222200652U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，广东芬尼克兹节能设备有限公司申请一项名为“泳池水温控制方法、系统、装置及存储介质”的专利，公开号CN119179352A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及温度控制技术领域，公开了一种泳池水温控制方法、系统、装置及存储介质，用于有效均衡水温分布。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，陕西孚兰包装材料有限公司取得一项名为“一种打包带生产裁边设备”的专利，授权公告号CN222200645U，申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“动态电压调节装置、方法及计算机设备”的专利，公开号CN119179361A，申请日期为2024年9月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，耀华（宜宾）玻璃有限公司申请一项名为“一种浮法玻璃生产线冷却水的恒温控制方法和系统”的专利，公开号CN119179349A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种浮法玻璃生产线冷却水的恒温控制方法和系统，涉及冷却水控制技术领域。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，广德方晟科技有限公司取得一项名为“一种覆铜板的切割装置”的专利，授权公告号CN222200654U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，成都莒纳新材料科技有限公司申请一项名为“一种电解水槽的温度控制管理方法、系统、设备及介质”的专利，公开号CN119179348A，申请日期为2024年11月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，辽宁博芯科半导体材料有限公司申请一项名为“应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法”的专利，公开号CN119179354A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。
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