无锡翔域半导体取得离子注入机用离子源电极插座结构专利，防止插头与插孔插接时有松动

金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，无锡翔域半导体有限公司取得一项名为“一种离子注入机用离子源电极插座结构”的专利，授权公告号 CN 222015795 U，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种离子注入机用离子源电极插座结构，包括插板，所述插板上开设有用于与电极插头配合的插孔，插板的一侧固定设置有用于防止插头掉落的防坠组件，防坠组件包括固定块、弹簧一、连接块、滑杆以及抵接杆，固定块固定安装在所述插板上，弹簧一固定连接在所述固定块和所述连接块之间，所述连接块与所述滑杆转动连接本实用新型设置了防坠组件，先向下拉动滑杆以及抵接杆，使弹簧一伸长，将插头插入到插板上的插孔中后，再松开滑杆，使弹簧一变短，此时，抵接杆刚好与插头的底部抵接，防止插头与插孔插接时有松动，导致接触不良或者产生插头掉落的情况出现。

来源：金融界