安徽格恩申请半导体激光器芯片外延结构专利，提升空穴浓度和降低内部光学损耗

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体激光器芯片的外延结构”的专利，公开号CN 119171184 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体激光器芯片的外延结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层与上波导层之间具有空穴费米面调控层；所述空穴费米面调控层包括第一空穴费米面调控层、第二空穴费米面调控层和第三空穴费米面调控层；所述第一空穴费米面调控层的热导率分布具有函数y＝A+B*arccosx曲线分布；所述第二空穴费米面调控层的热导率分布具有函数y＝C+D*lnx‑x+1曲线分布；所述第三空穴费米面调控层的热导率分布具有函数y＝E+F*ex+G*cosx第二三象限曲线分布。本发明具有较快的费米速率，费米能穿越价带形成空穴费米面，提升p型掺杂的离化效率，减少未电离的Mg受主杂质，提升空穴浓度和降低内部光学损耗。

来源：金融界