华光光电子申请具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法专利，实现芯片输出功率提升以及阈值电流密度降低

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119171182 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法，属于光电子技术领域，激光器包括层叠结构、脊波导和电注入区，所述层叠结构自下而上包括N型InP衬底、N型InP缓冲层、N型InP下波导层、N型GaInAs下限制层、多周期有源区结构、N型GaInAs上限制层、N型InP上波导层和N型高掺杂InP欧姆接触层；N型InP上波导层上方保留部分N型高掺杂InP欧姆接触层，其余上方位置设有VO2沉积层；薄膜层和N型高掺杂InP欧姆接触层上方沉积有上电极金属层；N型InP衬底下方设有下电极金属层。通过对光限制因子和波导传输损耗因子的调控，实现芯片输出功率的提升以及阈值电流密度的降低。

来源：金融界