安徽格恩半导体申请种半导体激光元件专利，提升激光相干性

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“种半导体激光元件”的专利，公开号CN 119171183 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有手性连续域束缚态层；所述手性连续域束缚态层的菲利浦电离度分布具有函数y＝ax3+bx2+cx+d(a＞0,△＝4(b2‑3ac)＜0)曲线分布；所述上波导层的菲利浦电离度≥手性连续域束缚态层的菲利浦电离度≥上限制层的菲利浦电离度；所述手性连续域束缚态层的导带有效态密度分布具有函数y＝A+B*x/lnx第四象限曲线分布。本发明利用面外镜面对称与面内镜面非对称形成三维手性结构，增强激光与特定自旋方向圆偏振光的手性相互作用，并增强电子与光子双重三维强限制，实现近场耦合的光束偏折和聚焦，提升激光相干性、远场FFP质量和光束质量因子。

来源：金融界