安徽格恩半导体申请 GaN 基大功率蓝光激光器的芯片结构专利，降低激光器阈值电流提升光电转换效率

金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种 GaN 基大功率蓝光激光器的芯片结构”的专利，公开号 CN 119171180 A，申请日期为 2024 年 9 月 。

专利摘要显示，本发明提出了一种 GaN 基大功率蓝光激光器的芯片结构，包括衬底和外延层，所述外延层设置于所述衬底的上层，所述外延层的第一腔面表面镀有减反射层，第二腔面表面镀有高反射层，所述减反射层包括在第一腔面表面依次镀设的第一子减反射层、第二子减反射层和第三子减反射层，所述外延层和减反射层的模拟光场分布的电场强度具有多个峰值电场强度和多个谷值电场强度。本发明能够降低激光器的阈值电流，提升激光器的光电转换效率。

来源：金融界