安徽格恩申请一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构专利，降低大功率绿光激光器的阈值电流密度

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构”的专利，公开号 CN 119171181 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提出一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构，包括衬底和外延层，外延层设置于所述衬底的上层，外延层的第一腔面表面镀有减反射层，第二腔面表面镀有高反射层，减反射层包括在第一腔面表面依次镀设的第一子减反射层、多层第二子减反射层和多层第三子减反射层，且多层第二子减反射层和多层第三子减反射层依次交替设置形成周期性结构，外延层中具有第一谷值电场强度和第一峰值电场强度，第一子减反射层与第一层第二子减反射层之间的界面区域具有第二峰值电场强度，外延层的第一腔面与第一子减反射层的界面区域之间的电场强度介于第一谷值电场强度和第二峰值电场强度之间。本发明能够降低大功率绿光激光器的阈值电流密度和提升斜率效率。

来源：金融界