杭州积海申请套刻误差标记图形及形成等专利，提高套刻误差整体量测数据的精准度
金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“套刻误差标记图形及形成方法、测量方法”的专利，公开号CN 119126511 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种套刻误差标记图形及形成方法、测量方法，属于半导体光刻技术领域，该套刻误差标记图形的形成方法，所述套刻误差标记图形包括主标记图形和至少一辅助标记图形，所述主标记图形包括前层标记图形和当前层标记图形，所述当层标记图形设置于所述前层标记图形的轮廓内，所述前层标记图形设置于所述辅助标记图形内。通过在前层标记图形对应位置之外的当层光刻胶层添加一组辅助标记图形，隔离或者阻断当层光刻胶中标记图形，从而避免当层光刻胶中的标记图形受到套刻误差之外周边图形的影响，提高套刻误差整体量测数据的精准度。
来源：金融界
