浙江奥首申请光刻胶剥离液相关专利，可提高半导体生产效率

金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种光刻胶剥离液、其制备方法与应用”的专利，公开号CN 119126507 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种光刻胶剥离液、其制备方法与应用，所述光刻胶剥离液包括重量配比如下的各组分：季铵碱5‑30份；醇胺5‑30份；极性溶剂20‑45份；磺酰肼类缓蚀剂0.5‑5份；吡啶硫脲类缓蚀剂0.5‑6份；去离子水15‑40份。本发明所述光刻胶剥离液在具有高效去除光刻胶能力的同时，还对基材表现出了低腐蚀性和高化学惰性。本发明光刻胶剥离液不仅提高了半导体生产效率，还减少了环境的影响，适用于半导体制造工艺中的各个环节，尤其适用于三五族化合物(如砷化镓GaAs)基材和金属(如铜 Cu)基材的光刻胶去除。

来源：金融界