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AP2317GN-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:VBsemi微碧半导体发布时间:2024-09-30

**AP2317GN-VB** - **品牌:** VBsemi - **参数:**  - 封装类型:SOT23  - 沟道类型:P—Channel  - 工作电压:-30V  - 连续漏极电流:-5.6A  - 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V  - 阈值电压:Vth=-1V - **应用简介:**   AP2317GN-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电源管理和开关电源应用。其低导通电阻、高漏极电流和低阈值电压使其成为高效能、可靠性强的选择。 [图片]...【查看原文】


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