微芯长江申请优化碳化硅Wafer单抛几何参数专利，改善碳化硅Wafer的几何参数

金融界2024年11月5日消息，国家知识产权局信息显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司申请一项名为“一种优化碳化硅Wafer单抛几何参数的工艺”的专利，公开号CN 118893497 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种优化碳化硅Wafer单抛几何参数的工艺，通过对Wafer在陶瓷盘上不同位置的去除量进行计算分析，在翻面贴蜡时，对Wafer进行180 °旋转；通过对称方式使得对碳化硅Wafer去除量均匀，最终使得Wafer厚度均匀；该种优化方式，不仅改善了碳化硅Wafer的几何参数还优化了Wafer的面型使得塌边现象大大减少工艺通过大量数据统计分析，此种方式对碳化硅WaferTTV改善最为明显。为了避免作业人员出错，每次贴蜡前需要人工选择甩蜡偏移角度，故设定不同配方，员工在贴片前确定贴蜡面，选择相应的配方即可；这种方式不仅方便作业员操作，也避免了人员犯错；通过本发明设计能在不同批次、不同厚度碳化硅晶片中实现。

来源：金融界