上海新微技术研发中心申请光刻胶涂布方法专利，在高低差异晶圆表面形成均匀光刻胶膜厚
金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“光刻胶涂布方法”的专利，公开号CN 119126494 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种光刻胶涂布方法，在向晶圆的中心位置喷涂光刻胶之前，选取位于晶圆中心与晶圆边缘之间的目标位置，先对晶圆中心与晶圆目标位置之间喷涂光刻胶，并继续对晶圆目标位置单独喷涂光刻胶，并控制晶圆的转速防止光刻胶聚集，同时防止光刻胶被甩出晶圆表面造成浪费，使得在高低差异的晶圆表面形成均匀的光刻胶膜厚，降低甚至避免光刻胶沿高台阶边缘形成斜纹，提高器件的制备效率，同时可以降低甚至避免由于光刻胶厚度不均导致曝光图形线宽不均匀，进而降低甚至避免由此引起的对器件的性能和良率的影响。
来源：金融界
