上海新微申请光刻胶图形处理方法专利，得到目标线宽的高深宽比光刻胶图形

金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种光刻胶图形的处理方法”的专利，公开号 CN 119126493 A，申请日期为2024年9月 。

专利摘要显示，一种光刻胶图形的处理方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沉积高反射合金薄膜；旋涂厚度为 1.8‑2.2um的光刻胶，调整曝光后显影形成光刻胶图形；对显影后的光刻胶图形进行处理，得到所需的光刻胶线宽。本申请提供一种光刻胶图形的处理方法，通过调整覆盖在高反射合金薄膜表面光刻胶的厚度，以及曝光过程的曝光量，使得合金薄膜表面的反射光强对显影形成的光刻胶图形形貌影响降到最低，通过电子显微镜可观测到更好的光刻胶形貌；并通过氧气等离子体对显影后的光刻胶图形进行处理，得到目标线宽的高深宽比光刻胶图形。

来源：金融界