AP2324GN-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

VBsemi AP2324GN-VB 是一款 N—Channel 沟道的场效应晶体管，具体参数如下： - 额定电压（VDS）：30V - 额定电流（ID）：6.5A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：30mΩ（在VGS=10V, VGS=20V时） - 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V 封装为 SOT23。 [图片] **应用简介：** 该晶体管适用于各种电子领域，特别是在需要 N-Channel 沟道的电路中，例如功率放大器、开关电源等。由于其低漏极-源极电阻和高电流承受能力，它可以在要求较...【查看原文】