消息称台积电美国厂近期准备投片量产，初期月产能 1 万片晶圆【查看原文】
鞭牛士5月13日消息，据IT之家报道，伴随着生成式AI的爆火，对GPU的需求也水涨船高，因此英伟达向台积电追加CoWoS（晶圆级芯片）封装订单，加速生产GPU，在2023年预定量基础上，再追加1万片，以满足需求。
英伟达生成式AI
鞭牛士 2023-05-13
IT之家5月13日消息，伴随着生成式AI的爆火，对GPU的需求也水涨船高，因此英伟达向台积电追加订单，加速生产GPU。报道称英伟达向台积电追加CoWoS（晶圆级芯片）封装订单，在2023年预定量基础上，再追加…
IT之家 2023-05-13
近来，半导体市场再次变得繁荣，尤其随着AI大型机模型的出现，半导体巨头们纷纷加大投资力度，以期在AI时代中积蓄新的增长。作为AI大模型时代中最受益的厂商之一，英伟达稳居市场前沿，而AMD也加入了竞争，推出了多款超强算力产品，专注于AI市场。两大半导体巨头显然在激烈角逐，而英特尔也在积极参与。英特尔最近公布了多项超过600亿美元的投资计划，其中包括重大的芯片生产和设计业务变革。据报道，英特尔计划拆分晶圆制造业务并独立运营，并且将开始接受代工需求。这些举措将彻底改变英特尔的芯片生产和设计方式。英特尔
融资AI大模型英伟达
博学的轮船Y 2023-06-26
用于质量管理的机器学习在台积电中，机器学习用于实现自动缺陷分类（ADC），并保持高级缺陷分类（ADC）识别的准确性。我们使用的机器学习方法是人机交互 （HITL），它利用人类和机器智能来创建机器学习模型。有了足够的数据和人工调整，这些机器算法可以快速、准确地识别和分析图像，而无需工程师不断教机器缺陷到底是什么样子的。因此，人类智能将在机器学习中发挥重要作用，这意味着所提供的经验和算法对于成功的机器学习模型至关重要且与众不同。台积电在内联边缘计算ADC和离线云计算ADC中广泛部署加工学习，特别关注刀具缺陷防
机器学习
海俊频道 2023-06-11
据悉，台积电定于2026下半年量产的A16工艺已收获首批客户：除已预定首批产能的长期合作伙伴苹果外，OpenAI也为自家AI芯片下达预订单。据了解，A16工艺是台积电目前已公布的最先进节点，其采用下一代Nanosheet纳米片GAA晶体管技术，也是台积电首个应用SuperPowerRail超级电轨背面供电解决方案的制程。
苹果OpenAIAI芯片
动点科技 2024-09-02
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，中国电建集团青海省电力设计院有限公司取得一项名为“一种可旋转光伏支架”的专利，授权公告号CN222192219U，申请日期为2024年1月。
金融界 2024-12-25
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，云晟（安徽）能源装备科技有限公司取得一项名为“种聚氨酯组合式光伏框架结构”的专利，授权公告号CN222192220U，申请日期为2024年2月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构”的专利，公开号CN119171181A，申请日期为2024年9月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，江苏润阳光伏科技有限公司取得一项名为“一种光伏组件安装装置”的专利，授权公告号CN222192222U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，大连美天新能源科技有限公司取得一项名为“一种可以快速固定的光伏发电板及其安装组件”的专利，授权公告号CN222192217U，申请日期为2023年12月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法”的专利，公开号CN119171182A，申请日期为2024年8月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基大功率蓝光激光器的芯片结构”的专利，公开号CN119171180A，申请日期为2024年9月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基化合物半导体激光元件”的专利，公开号CN119171176A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种GaN基化合物半导体激光元件。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，四川同源送变电工程有限公司取得一项名为“一种新能源设备的固定装置”的专利，授权公告号CN222192221U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，青岛翼晨镭硕科技有限公司申请一项名为“周期性量子点增强型半导体可饱和吸收镜及其制备方法”的专利，公开号CN119171171A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本申请涉及一种周期性量子点增强型半导体可饱和吸收镜及其制备方法。
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