浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，使器件特征导通电阻减小

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119170559 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在基底上形成掩膜结构；在掩膜结构内形成第一开口；在第一开口内部形成至少 1 个第二开口，第二开口底部低于第一开口底部，至少 1 个第二开口与第一开口相连通以形成隔离图形；将隔离图形转移至基底内，在基底内形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成隔离结构。隔离沟槽中，与第二开口对应的区域的深度大于与非第二开口对应的区域。填充隔离沟槽，形成隔离结构时，与第二开口对应的区域的隔离结构的深度大于与非第二开口对应的区域的隔离结构的深度。当电子从源极流出，沿着非第二开口对应的区域流出的电子的流通路径相较于沿着第二开口对应的区域流出的电子的流通路径更短，使得器件的特征导通电阻减小。

来源：金融界