迈德迩申请一种 NAND-FLASH 存储芯片测试系统专利，有效提高测试准确性

金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市迈德迩半导体有限公司申请一项名为“一种 NAND-FLASH 存储芯片测试系统”的专利，公开号 CN 118887987 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种 NAND‑FLASH 存储芯片测试系统，涉及芯片测试技术领域，读写测试模块结合读写数据以及运行数据为存储芯片生成性能评分，测试环境赋权模块依据使用时长以及使用频率为测试环境生成赋予权重值，质量分级模块将存储芯片在所有测试环境下的性能评分加权计算获取变化系数，依据变化系数与梯度阈值的对比结果预测存储芯片的读写状态变化，并依据预测结果对存储芯片进行质量分级，质量分级结果发送至相关人员。测试系统在存储芯片进行读写功能测试时，能够结合存储芯片在不同数据量读写的运行状态来预测存储芯片的读取状态变化，有效提高测试准确性，保障存储芯片后续使用时对数据读写的完整性，提高用户体验。

来源：金融界