浮思特 | 如何通过ISO247封装提升SiC MOSFET性能与可靠性

传统的分立SiC MOSFET与散热器之间的隔离依赖于外部的导热电绝缘材料。这不仅增加了结到散热器的热阻，还使热管理变得复杂，并在自动和手动组装过程中带来了障碍。此外，差的导热性降低了功率和电流承受能力，显著限制了SiC芯片的最佳利用。 [图片] ISO247 – 高性能基于陶瓷的分立绝缘封装 ISO247封装采用高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷，解决了这些挑战，提高了SiC芯片的利用率，增强了基于SiC MOSFET的应用。ISO247属于ISOPLUS系列内部绝缘的分立功率半导体器件封装，采用铝氧化物(...【查看原文】