7nm工艺，实现3nm的性能，是中国芯努力的方向之一

众所周知，目前中国芯片产业，正面临着美国的打压，且这个打压是一轮比一轮严。

按照之前媒体报道，美国的目标是希望锁死中国逻辑芯片制造工艺，在14nm，为此，更是联合日本、荷兰，禁止够制造14nm以下芯片的半导体设备，卖给中国。

不过，在这样的情况之下，中国没有认输，硬是顶着压力不断的突破，目前技术不用说，自然是突破了14nm，外媒根据公开的芯片，认为可能在7nm。

不过，虽然有可能突破至7nm了，但接下来继续突破至5nm、3nm，肯定是有困难的，并且这个困难还很大，短时间之内要再进一步突破，基本很难了。

毕竟要制造5nm芯片，需要EUV光刻机，以及这些和EUV光刻机配套的设备，但这些都买不到。而基于浸润式DUV光刻机，以及配套的设备，要制造出5nm芯片，理论上是可行的，但实际上非常不可行的，良率、成本等制约，造出芯片，也将成本大到无法大规模商业使用。

那么在这样的情况之下，我们该怎么办？其实并不难办，那就是用7nm的芯片工艺，来实现3nm的芯片。

可能很多人会觉得，这是开玩笑吧，既然7nm能够实现3nm的性能， 那还要3nm芯片干什么，用7nm就行了啊。

大家先要明白一个事实，那就是现在的芯片工艺，其实是一种等效工艺，并不是真正的芯片工艺。如果拿金属半间距这个重要指标来看，台积电10nm芯片的金属间距约为40nm，5nm芯片的金属间距约为30nm；3nm芯片约为22nm。

现在的芯片工艺提升，其实只要晶体管密度提升了，或性能上升了，或能耗降低了就行，并不一定代表其制造工艺一定就是提升了。

基于此，哪怕同样是7nm的工艺，但如果采用更好的晶体管结构，比如3D的、立体的等等，让性能提升，是完全有可能的，一样能达到工艺提升的目标。

此外，还可以采用更好的封装技术，比如层叠、堆叠、立体封装等，也同样可以让性能提升，并不一定要制造工艺提升。

而除了这之外，还可以采用新材料，比如碳基芯片，光电芯片等，那么哪怕只是7nm芯片，也一样可以达到3nm性能，甚至更高的性能。

毕竟现在芯片制造工艺，其实已经是接近物理极限，越来越难了，只能通过其它办法，技术来改进，而这就是我们的机会。

所以说，接下来，利用掌握的7nm制造工艺，来实现3nm的性能，是我们努力的方向之一，并且这个大概率是能够实现的。