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华虹半导体(无锡)取得一种LDMOS器件的制备方法及器件专利

作者:金融界发布时间:2024-12-18

金融界2024年12月18日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司取得一项名为“一种LDMOS器件的制备方法及器件”的专利,授权公告号CN 114267729 B,申请日期为2021年12月。

来源:金融界


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