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AP2322GN-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:微碧半导体发布时间:2024-10-07

参数: - 类型:N—Channel沟道 - 额定电压:20V - 额定电流:6A - RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V - 阈值电压:0.45~1V 封装: - SOT23 [图片] 应用简介: AP2322GN-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。具有20V的额定电压和6A的额定电流,RDS(ON)在VGS=4.5V和VGS=8V时为24mΩ。阈值电压范围为0.45~1V。 该产品广泛应用于以下领域和模块: 1. **电源管理模...【查看原文】


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