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AP4959M-VB一种2个P—Channel沟道SOP8封装MOS管

作者:VBsemi微碧半导体发布时间:2024-10-17

**AP4959M-VB** **品牌:** VBsemi   **封装:** SOP8   **详细参数说明:**   - 2个P—Channel沟道   - 额定电压:-30V   - 额定电流:-7A   - 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)   - 门源极阈值电压(Vth):-1.5V   [图片] **应用简介:**   AP4959M-VB是一款P沟道MOSFET,具有低漏极-源极电阻和高额定电流,适用于多种电源管理、功率控制和开关应用。 *...【查看原文】


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