青岛澳柯玛云联取得半导体结构专利，提高半导体结构源漏击穿电压

金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利，授权公告号 CN 222146234 U，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体结构，包括第一导电类型阱区、第一导电类型体接触区、第二导电类型漏极区、隔离结构及电场调节结构，其中，第一导电类型体接触区及第二导电类型漏极区均位于第一导电类型阱区内，且第二导电类型漏极区与第一导电类型体接触区之间具有间隔区，隔离结构位于间隔区中且与第二导电类型漏极区及第一导电类型体接触区均相接触，电场调节结构位于隔离结构上。本实用新型通过电场调节结构可调节电场分布，解决漏极区与体接触区之间隔离结构拐角处因尖端效应导致电场强度高易发生击穿的问题，以达到提高半导体结构源漏击穿电压(BVds)的效果，且制备工艺简单，无需额外增加光罩、无需改变工艺步骤，且不会引入额外成本。

来源：金融界