合肥矽普半导体取得不对称式 SiC 耐压 MOSFET 器件专利，不会将击穿沟槽

金融界 2024 年 12 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥矽普半导体科技有限公司取得一项名为“不对称式 SiC 耐压 MOSFET 器件”的专利，授权公告号 CN 222146233 U，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种不对称式 SiC 耐压 MOSFET 器件，包括：一外延层、一体区、一第一导电类型有源区和两间隔一定距离的沟槽。其中，体区位于外延层上方，有源区位于体区上方，沟槽的底部位于外延层内，沟槽向上延伸穿过体区直到第一导电类型有源区内，两沟槽的一拐角外侧有第二导电类型有源区。故相邻的沟槽之间掺杂区不对称，使得在形成离子通道的时候，在沟槽的拐角处不会形成很大的电场强度，进而不会将击穿沟槽。

来源：金融界