海南航芯取得超快速恢复的IGBT封装结构及IGBT装置专利，设计灵活、布局合理、适用性广

金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，海南航芯高科技产业集团有限责任公司取得一项名为“超快速恢复的IGBT封装结构及IGBT装置”的专利，授权公告号CN 222146221 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种超快速恢复的IGBT封装结构，包括散热板、铺设在散热板上的导电片、焊接在导电片上的一个或多个芯片组，以及将每一芯片组的芯片和导电片电连接在一起的电连接单元，每一芯片组包括IGBT芯片、续流二极管芯片、快速恢复二极管芯片，快速恢复二极管芯片包括第一快速恢复二极管和第二快速恢复二极管，导电片包括第一导电片、第二导电片和第三导电片，第一导电片、第二导电片和第三导电片沿第一方向依次设置，IGBT芯片的C极和续流二极管芯片的负电极沿第一方向焊接于第一导电片上，第一快速恢复二极管焊接于二导电片上，第二快速恢复二极管焊接于第三导电片上。本实用新型还公开了一种IGBT装置。本实用新型设计灵活、布局合理、适用性广。

来源：金融界