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道之科技取得超结MOSFET功率器件的版图结构专利

作者:金融界发布时间:2024-11-16

金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,上海道之科技有限公司取得一项名为“一种超结MOSFET功率器件的版图结构”的专利,授权公告号 CN 113224050 B,申请日期为2021年5月。

来源:金融界


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