中科智申请一种多孔CZ0层气体传感芯片制备方法专利，提升传感芯片灵敏度和响应速度

金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，中科智科技（合肥）有限公司申请一项名为“一种多孔CZ0层气体传感芯片制备方法”的专利，公开号CN 119121199 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种多孔CZ0层气体传感芯片制备方法，包括以下步骤：S1预处理：S2低温干燥；S3热处理；S4磨粉；S5成型；S6烧结；S7电极涂覆；S8多层加载电极CZO基片粘合；S9高温烧结；S10芯片检测。本发明针对现有气体传感器灵敏度低、选择性差、响应时间长等性能问题以及制备过程自动化低的问题进行改进。本发明采用溶胶凝胶法制备多孔氧化铈‑锆（CZO）层，相比于目前常用的YSZ、Al2O3、ZrO2等材质，进一步提升了传感芯片的灵敏度和响应速度，同时显著减少了制备时间和生产成本。通过优化工艺参数，本发明有效解决了传统方法中存在的制备工艺复杂、稳定性差等问题。实现了对制备过程的精准控制和实时监测，大幅提升了生产效率和产品质量。

来源：金融界