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AP2319GN-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:VBsemi微碧半导体发布时间:2024-10-07

**AP2319GN-VB** - **品牌:** VBsemi - **参数:**  - 封装:SOT23  - 沟道类型:P—Channel  - 额定电压:-30V  - 最大电流:-5.6A  - 导通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V  - 阈值电压(Vth):-1V - **封装:** SOT23 [图片] **详细参数说明:** AP2319GN-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。其主要电气特性包括额定电压为-...【查看原文】


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