江苏鑫华半导体取得三氯氢硅杂质去除装置专利，能大幅度增加吸附时间提高树脂本身的吸附效果

金融界2024年11月2日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种三氯氢硅杂质去除装置”的专利，授权公告号CN 221933344 U，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本实用新型涉及三氯氢硅处理的技术领域，特别是涉及一种三氯氢硅杂质去除装置，其在外壳内部集成第一吸附腔与第二吸附腔，能够大幅度增加吸附时间提高树脂本身的吸附效果，整个吸附装置的占地面积减少，减少土地投资，提高使用实用性；包括外壳、隔板、第一过滤器、第二过滤器和第三过滤器，外壳内部设置有处理腔，隔板固定安装在外壳内部，隔板将外壳处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，第一过滤器与第一吸附腔输入端紧固连通，第二过滤器输入端与第一吸附腔输出端连通，第二过滤器输出端与第二吸附腔输入端连通，第二过滤器串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，第三过滤器与第二吸附腔输出端紧固连通。

来源：金融界