一、储能电源设计及其关键技术 储能及能量变换系统中的硅器件及宽禁带器件 技术应用研究 [图片] 储能逆变及能量变换系统-主要拓扑结构的技术应用 [图片] 宽禁带半导体SiC & GaN 新材料性能特点及优势 [图片] ▲ 更高的温度应用(3倍禁带宽度:低漏电、高工作温度) 材料特性: 高禁带宽度、击穿场强、热导率、电子漂移速度 器件优势: 高击穿电压、开关频率、工作温度、功率密度 系统功能提升: 转换效率、尺寸重量、系统工作频率 宽禁带半导体材料:GaN,SiC 宽禁带材料&Si材料...【查看原文】