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英特尔申请存储器接口电路专利,提高存储器接口性能

作者:金融界发布时间:2024-12-26

金融界2024年12月26日消息,国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“存储器接口电路”的专利,公开号 CN 119181393 A,申请日期为 2023 年 6 月。

专利摘要显示,一种存储器接口电路,包括驱动器级和向驱动器级提供控制代码的逻辑电路。驱动器级具有多条支路,每条支路包括上拉(PU)晶体管、下拉(PD)晶体管和电阻器。PU晶体管具有与电源节点耦合的第一源极/漏级端子,与中间节点耦合的第二源极/漏级端子,以及栅极,所述栅极被耦合以接收PU控制代码的比特。PD晶体管具有与所述中间节点耦合的第一源极/漏级端子,与地节点耦合的第二源极/漏级端子,以及栅极,所述栅极被耦合以接收PD控制代码的比特。电阻器具有与所述中间节点耦合的第一端和与所述存储器接口电路的引脚耦合的第二端。

来源:金融界


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