日荣半导体取得集成电路工艺装置专利，避免填孔出现空隙

金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，日荣半导体（上海）有限公司取得一项名为“集成电路工艺装置”的专利，授权公告号CN 222008120 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型涉及电镀设备技术领域，具体是一种集成电路工艺装置，所述自动补水区和药水自添区分别设置在恒温区的两侧，同时所述自动补水区的内部和药水自添区的内部均与恒温区的内部相连通；所述恒温区的内部设置有阳极和电镀挂具，所述阳极和电镀挂具分别设置在恒温区的内部两侧，且所述阳极和电镀挂具之间设置有半透膜，同时所述阳极和电镀挂具之间设置有脉冲整流器。本实用新型在恒温区内设置阳极和电镀挂具，且在阳极和电镀挂具之间设置半透膜，同时阳极和电镀挂具之间通过脉冲整流器进行连接，从而在减少两极气体析出的同时，通过利用高频脉冲及反向电流，节制结晶成核与核成长速率，避免了填孔出现空隙。

来源：金融界