纳秒级写入、超万亿次擦写！中国实现SOT-MRAM存储关键突破

作者：黑白发布时间：2024-12-26

快科技12月26日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该...【查看原文】

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