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纳秒级写入、超万亿次擦写!中国实现SOT-MRAM存储关键突破

作者:黑白发布时间:2024-12-26

快科技12月26日消息,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该...【查看原文】


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