正宇光伏申请新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法专利，在 N 型硅片双面分别同管原位掺杂有利于提升理论开路电压

金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，常州正宇光伏科技有限公司申请一项名为“一种新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118919608 A，申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法，包括如下操作步骤：采用 N 型硅片抛光 5~10μm；背面 PECVD 法掺杂 P+‑poly；正面酸洗及抛光；正面 PECVD 法掺杂 N+‑poly；对正面非接触区激光开膜，去除表面的 mask 氧化层后进行 poly 去除清洗；再对正面激光开膜区激光开膜去除隧穿氧化层；对正面激光开膜区进行抛光后制绒；双面共退火；清洗去除正面 PSG 及背面 BSG；双面依次沉积氧化铝和减反膜；双面印刷电极、烧结并光电注入，得到电池。本发明在 N 型硅片双面分别同管实现原位掺杂，隧穿层形成隧穿势垒，使得多子可以进行隧穿，而少子被阻挡，有利于提升理论开路电压。

来源：金融界