象朵创芯申请电容芯片结构以及制造方法专利，能提供创新的电容芯片制造方案

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，象朵创芯微电子（苏州）有限公司申请一项名为“电容芯片结构以及制造方法”的专利，公开号 CN 119153232 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种电容芯片结构以及制造方法，该制造方法包括：在玻璃衬底的第一表面形成第一导电层；在第一导电层远离玻璃衬底的一侧形成电容介质层；电容介质层还覆盖第一导电层的侧壁，电容介质层设置有第一通孔，第一通孔贯穿电容介质层且露出第一导电层的部分表面；在电容介质层远离第一导电层的一侧形成第二导电层；第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩；在第二导电层远离电容介质层的一侧形成绝缘层；形成第一电气连接结构；形成第二电气连接结构。

来源：金融界