扬杰科技取得避免打火现象的高压碳化硅产品专利，避免芯片打火现象发生
金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“避免打火现象的高压碳化硅产品“，授权公告号 CN221727119U，申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示，避免打火现象的高压碳化硅产品，涉及半导体技术领域。本实用新型中沟槽刻蚀区可以和对准标记图形同一层光刻板制作，不增加工艺复杂度和制造成本。芯片边缘刻蚀沟槽使得 P 区注入结深增加，在器件反向加压测试时时，使得背面电极的等势面不再划片道表面，由于刻蚀形成的深 PN 结在反向耗尽时，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，从未避免上述打火现象的发生。并且，刻蚀后形成的 PN 结深更深，电场梯度转移到更深的外延层内，终端至划片道可以设计的更小，从而提高晶圆利用率，降低成本。
来源：金融界
