帝京半导体取得一种半导体CVD设备用高真空传输阀专利，提高整体的稳定性

金融界2024年12月27日消息，国家知识产权局信息显示，帝京半导体科技（苏州）有限公司取得一项名为“一种半导体CVD设备用高真空传输阀”的专利，授权公告号CN 222209024 U ，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本实用新型 公开了一种半导体CVD设 备用高真空传输阀，涉及 半导体制造技术领域，包括阀体和连接组件，所述 阀体上端右表面设置有 侧连接口，所述阀体底部 设置有下连接口，所述连 接组件设置于侧连接口 表面，且连接组件包括螺 纹安装槽、螺纹安装环、 连接管、密封卡接管、十 字开口防尘膜、加固环和 加固栓，所述螺纹安装槽开设于侧连接口右表面以及下连接口 下表面，且螺纹安装槽内侧螺纹连接有螺纹安装环。该半导体 CVD设备用高真空传输阀，通过连接组件使得该装置可实现阀 体与连接管的快速连接，且连接稳固不易发生松脱，提高整体 的稳定性，通过泄压组件使得该装置可在压力过大时实现自动 泄压，也能通过气动伸缩杆实现随时泄压或控制气体流动。

来源：金融界