金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市百斯特电子有限公司申请一项名为“一种高耐压一体成型电感及其制备方法”的专利,公开号 CN 119153208 A,申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示,本申请涉及一种高耐压一体成型电感及其制备方法,其包括磁体与绕组,磁体由铁基纳米晶和复合粉末制备而成,铁基纳米晶包括以下重量份数的组分:钴 10‑15wt%、镍 7‑15wt%、锰 1‑3.5wt%、硅 3‑6wt%、铜 0.3‑1wt%,余量为铁;所述复合粉末包括羰基铁、铁硅铬与铁硅铝中的任意一种或多种混合。本申请具有提升电感产品质量的效果。
来源:金融界