拓荆创益半导体取得一种顶针、升降机构、加热盘及气相沉积设备专利，顶针可方便准确将晶圆托离及拉回加热盘表面

金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“一种顶针、升降机构、加热盘及气相沉积设备”的专利，授权公告号CN 222008042 U，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种顶针、升降机构、加热盘，以及气相沉积设备。所述顶针包括：顶针本体，其下部设有横向延伸的凹槽；重锤，其上表面设有纵向延伸的第一开口，而其侧面设有横向延伸的第二开口，其中，所述第一开口适配所述顶针本体的第一形状，以供所述顶针本体从所述第一开口伸入所述重锤，所述第二开口对准所述顶针本体的所述凹槽；以及限位销，具有适配所述第二开口及所述凹槽的第二形状，用于经由所述第二开口卡接所述凹槽，以将所述重锤固定到所述顶针本体。基于上述结构，所述顶针可以方便准确地将晶圆托离及拉回加热盘表面，从而避免重锤掉落的风险，以保证工艺的安全稳定进行。

来源：金融界