天奈科技申请一种高堆积密度单壁碳纳米管粉体及制备方法专利，提高了干燥状态下的碳纳米管的堆积密度和收率
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，江苏天奈科技股份有限公司申请一项名为“一种高堆积密度单壁碳纳米管粉体及制备方法”的专利，公开号 CN 119176547 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本申请涉及单壁碳纳米管技术领域，具体公开了一种高堆积密度单壁碳纳米管粉体及制备方法。所述单壁碳纳米管初粉体经酸洗制得单壁碳纳米管块状湿料，湿料进行不完全干燥得到不完全干燥单壁碳纳米管块状湿料，不完全干燥单壁碳纳米管块状湿料进行粉碎和再干燥制得所述单壁碳纳米管粉体所述单壁碳纳米管粉体的堆积密度为0 1 0 5g/cm3 本申请方法提高了干燥状态下的碳纳米管的堆积密度和收率。
来源：金融界
