拓荆创益取得晶圆承载结构及薄膜沉积设备专利，可在晶圆背面的至少一个目标区域局部长膜

金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“晶圆承载结构及薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN 222008013 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型 提供了一种晶圆承载结 构及一种薄膜沉积设备。 所述晶圆承载结构包括： 支撑部，设于工艺腔室 中，用于在薄膜沉积的过 程中支撑晶圆，并露出所 述晶圆的背面；以及遮挡 部，用于在所述薄膜沉积 的过程中遮挡所述晶圆 背面的至少一个非目标 区域，以在所述晶圆背面的至少一个目标区域局部长膜，其中， 所述目标区域为所述晶圆中向正面翘曲的区域。

来源：金融界