昇维旭申请半导体测试结构及其制作方法、半导体参数测试方法专利，可实现精确测试半导体参数

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其制作方法、半导体参数测试方法”的专利，公开号CN 118919442 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体测试结构及其制作方法、半导体参数测试方法，测试结构包括第一测试结构及第二测试结构，第一测试结构包括第一导电部、第一接触层、第二接触层、第一连接线、第二连接线，第一接触层和第二接触层间隔分布于第一导电部上，第一连接线与第一接触层连接，第二连接线与第二接触层连接；第二测试结构包括第二导电部、第三接触层、第三连接线、第四连接线，第三接触层覆盖第二导电部；第三连接线与第三接触层的第一端部连接，第四连接线与第三接触层的第二端部连接；第一连接线与第三连接线电阻相等，第二连接线与第四连接线电阻相等；第一接触层的电阻与第二接触层的电阻之和等于第三接触层的电阻。

来源：金融界